Корпус : | 3101.8-9.01 |
Напряжение : | коллектор-база - 20 В |
Напряжение : | эмиттер-база - 4 В |
Напряжение : | между транзисторами - 20 В |
Ток : | коллектора постоянный - 10 мА |
Ток : | коллектора импульсный (tи = 30мкс) - 40 мА |
Мощность : | рассеиваемая: 50 мВт |
Вес : | 1,3 г |
Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n
транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (159nt1.pdf) |
|