|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 0,5 Вт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В |
|---|
| Максимальный ток : | постоянный: 300 мА |
|---|
| Максимальный ток : | импульсный: 600 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 3 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 20-80 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 15 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом |
|---|
Транзисторы 2Т603А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих
высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (603.pdf) |
|
