|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | постоянная рассеиваемая: 100 мВт |
|---|
| Напряжение : | коллектор-база пробивное: 15 В |
|---|
| Напряжение : | эмиттер-база пробивное: 31 В |
|---|
| Ток : | постоянный макс.: 50 мА |
|---|
| Ток : | обратный: 0,1 мкА |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: 100 Ом |
|---|
| Рабочая температура : | -60…+125 °С |
|---|
2Т118ВТранзисторы 2Т118В кремниевые эпитаксиально-планарные
двухэмиттерные структуры р-n-р переключательные.
Предназначены для применения в модуляторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
|
