|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | постоянная рассеиваемая: 150 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 600 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 10 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 50 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 0,5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 20-60 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 3 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом |
|---|
| Корпус : | КТ-1-7 |
|---|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты
(2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах
(2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t316_.pdf) |
|
