|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 15 Вт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 6 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 1 А |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 5-300 |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 25 пФ |
|---|
|
Транзисторы 2Т826Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n
переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в
преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных
стабилизаторах.
Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с
контактными площадками на пластине для гибридных интегральных
микросхем.
|
