|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 10 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 17 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 400 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 6 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 50 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: >5 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <2,5 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: 5 мА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: 50 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >3 МГц |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: <100 пФ |
|---|
| Корпус : | КТ-9 |
|---|
Транзисторы 2Т812А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n
импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных
устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры
специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t812_kt812.pdf) |
|
