|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 1 Вт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 250 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В |
|---|
| Максимальный ток : | постоянный: 1000 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 25-80 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 25 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом |
|---|
|
Транзисторы 2Т629АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные
структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных
устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные, на кристаллодержателе с защитным покрытием с
гибкими выводами.
Транзисторы 2Т629А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов
на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных
микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
|
