Конфигурация : | n-p-n |
Мощность : | рассеиваемая: 0,5 Вт |
Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц |
Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В |
Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В |
Максимальный ток : | постоянный: 300 мА |
Максимальный ток : | импульсный: 600 мА |
Ток : | коллектора обратный: не более 3 мкА |
Коэффициент : | передачи тока статический: 60-180 |
Емкость : | коллекторного перехода: не более 15 пФ |
Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом |
Транзисторы 2Т603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих
высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
|