Конфигурация : | p-n-p |
Мощность : | рассеиваемая: 200 мВт |
Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 400 МГц |
Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В |
Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
Максимальный ток : | 50 мА |
Ток : | коллектора обратный: не более 0,5 мкА |
Коэффициент : | передачи тока статический: 45-160 |
Емкость : | коллекторного перехода: не более 5 пФ |
Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p
усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой
частот и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (326.pdf) |
|