|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 2 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 4 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 30 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 1 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: >25 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <0,6 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: <0,1 мА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: <1 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >4 МГц |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: 150 пФ |
|---|
| Корпус : | КТ-2-7 |
|---|
Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры p-n-p, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках
вторичного электропитания, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального
назначения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t830.pdf) |
|
