|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 300 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 200 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | 400 мА |
|---|
| Ток : | обратный: не более 5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 40-200 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 10 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом |
|---|
Транзисторы 2Т3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих
устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (3117_1-2.pdf) |
|
