|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 7,5 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 70 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база: 80 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 15 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая макс.: 1 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 20-80 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <2,5 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: <0,15 мА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: <0,3 мА |
|---|
| Ток : | коллектор-эмиттер обратный: <10 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >1 МГц |
|---|
| Максимальная температура : | перехода: 125 °С |
|---|
| Рабочая температура : | -60…+100 °С |
|---|
|
Транзисторы КТ837 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p, низкочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры
общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kt837.pdf) |
|
