|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 5 Вт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 4 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база: 35 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 2 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 4 А |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 100 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: более 25 |
|---|
| Сопротивление : | Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом |
|---|
Транзисторы КТ830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках
вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус КТ830А, КТ830Б, КТ830В, КТ830Г металлический со
стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kt830.pdf) |
|
