|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 1 Вт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 20 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
|---|
| Максимальный ток : | постоянный: 1 А |
|---|
| Максимальный ток : | импульсный: 2 А |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 100 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 25-140 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 70 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом |
|---|
|
Транзисторы 2Т505А кремниевые планарные структуры p-n-p
переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного
электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов
на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных
микросхем.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t505-(kremnij-2017).pdf) |
|
