|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 350 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 5 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 0,15 А |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 1 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 40-120 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 20 пФ |
|---|
Транзисторы КТ502В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
операционных, дифференциальных и импульсных усилителях,
преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kt502a.pdf) |
|
