|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 15 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 20 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 50 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая макс.: 2 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: >20 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <2 В |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: 1 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >3 МГц |
|---|
| Максимальная температура : | перехода: 125 °С |
|---|
| Рабочая температура : | -40…+100 °С |
|---|
Транзисторы КТ819 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные
структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего
назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t819_kt819.pdf) |
|
