|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 3 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 6 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая макс.: 1 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: >25 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <0,6 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: 100 мкА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >3 МГц |
|---|
| Максимальная температура : | перехода: 150 °С |
|---|
| Рабочая температура : | -40…+100 °С |
|---|
Транзисторы КТ817В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и
импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего
назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kt817.pdf) |
|
