|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 150 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 800 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | 50 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 0,5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 40-120 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 3 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом |
|---|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты
(2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах
(2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t316_kt316.pdf) |
|
