Конфигурация : | p-n-p |
Максимальный ток : | коллектора постоянный: 0,4 А |
Максимальный ток : | коллектора импульсный: 0,6 А |
Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 45 В |
Максимальное напряжение : | коллектор-база: 45 В |
Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 4 В |
Мощность : | рассеиваемая постоянная: 10 Вт |
Коэффициент : | передачи тока статический: 25…150 |
Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <1,3 В |
Ток : | коллектора обратный: <10 мкА |
Ток : | эмиттера обратный: <20 мкА |
Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >200 МГц |
Емкость : | коллекторного перехода: <15 пФ |
Максимальная температура : | перехода: 150 °С |
Рабочая температура : | -60…+125 °С |
|
Транзисторные матрицы 2ТС622А, состоящие из четырех электрически
изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p
переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и
переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального
назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с
двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность
печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2ts622_kts622.pdf) |
|