Конфигурация : | n-p-n |
Максимальный ток : | коллектора постоянный: 10 А |
Максимальный ток : | коллектора импульсный: 20 А |
Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 10 В |
Максимальное напряжение : | коллектор-база: 10 В |
Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 4 В |
Мощность : | рассеиваемая постоянная: 30 мВт |
Коэффициент : | передачи тока статический: 40…250 |
Ток : | коллектора обратный: <0,5 мА |
Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >1000 МГц |
Емкость : | коллекторного перехода: 1,5 пФ |
Максимальная температура : | перехода: 150 °С |
Рабочая температура : | -60…+125 °С |
|
Транзисторные сборки 2ТС398А-1, состоящие каждая из двух
изготовленных на одном кристалле кремниевых
эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов
с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в
широкополосных балансных, дифференциальных и операционных
усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность
параметров двух транзисторов.
Транзисторные сборки бескорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить
измерение электрических параметров без извлечения из нее сборок.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г.
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2ts398_kts398.pdf) |
|