|
| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 3 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 4 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 0,7 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 20…100 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: 0,45 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: <0,1 мА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: <1 мА |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >4 МГц |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: <340 пФ |
|---|
| Корпус : | КТ-2-7 |
|---|
Транзисторы 2Т836В кремниевые планарные структуры p-n-p
переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального
назначения.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в
металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t836.pdf) |
|
