Корпус : | SOIC-8 (SMD) |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) : | 1.0 |
Мощность : | рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт |
Максимальный ток : | Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4 A(N-Channel), 3 A(P-Channel) |
Тип : | МОП - Транзистор, кремниевый , P-канал и N-канал |
Напряжение : | пороговое затвора (Vgs th) - 1В |
Сопротивление : | сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм (N-канал);сток-исток открытого транзистора (Rds) - 100 мОм (P-канал) |
Максимально допустимое напряжение : | сток-исток (Vds max) - 30 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
Описание : | 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET |
Заряд : | затвора (Qg) - 25 нКл |
Диапазон рабочих температур : | -55…+150 °С |
Способ монтажа : | поверхностный (SMT) |
Упаковка : | REEL, 4000 шт. |