Skip to main content

IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3

Артикул:
121127
Наименование:
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3
Производитель:
91.68 ₽

1000 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

1000 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
Емкость, пФ 980
Заряд затвора, нКл 80
Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Время задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 125 Вт
Вес брутто 2.82
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220AB
Упаковка TUBE, 1000 шт.

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной