Skip to main content

IRF7343TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 55В, 4.7А/3.4 А, 2.0Вт, корпус SOIC-8

Артикул:
121663
Наименование:
IRF7343TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 55В, 4.7А/3.4 А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
Производитель:
46.56 ₽

10314 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

10314 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRF7343TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 55В, 4.7А/3.4 А, 2.0Вт, корпус SOIC-8

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N+P
Максимальное напряжение сток-исток, В 55 / -55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 / -3,4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50
Емкость, пФ 740
Заряд затвора, нКл 36
Описание MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.25
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/4000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOIC-8
Упаковка REEL, 4000 шт.

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной