Skip to main content

IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)

Артикул:
127114
Наименование:
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
Производитель:
40.69 ₽

2350 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

2350 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)

IRFR1018EPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКл.

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,3
Емкость, пФ 2680
Заряд затвора, нКл 33
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.61
Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/2500
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной