Skip to main content

IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB

Артикул:
122728
Наименование:
IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB
Производитель:
56.32 ₽

5 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

5 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 4,5
Емкость, пФ 9620
Заряд затвора, нКл 210
Описание N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 370 Вт
Вес брутто 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*40*31/1000
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Упаковка TUBE, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной