Skip to main content

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3

Артикул:
121612
Наименование:
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3
Производитель:
111.82 ₽

1210 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

1210 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2
Емкость, пФ 2500
Заряд затвора, нКл 26
Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 3,5 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 94 Вт
Вес брутто 0.55
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной