Skip to main content

IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4

Артикул:
121164
Наименование:
IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4
Производитель:
83.77 ₽

620 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

620 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 400
Емкость, пФ 410
Заряд затвора, нКл 20
Описание MOSFET N-Channel 400 V 490mA
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто 0.73
Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*56*53/2500
Способ монтажа Through Hole
Корпус DIP-4 (0.300", 7.62mm)
Упаковка TUBE, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной