IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3
1000 в наличии
1000 в наличии
— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)
— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 1000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5 |
| Емкость, пФ | 980 |
| Заряд затвора, нКл | 80 |
| Описание | MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) — 4В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Время | задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) — 125 Вт |
| Вес брутто | 2.82 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Упаковка | TUBE, 1000 шт. |
Доставка и оплата
Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:
1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией
Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
* Минимальная сумма счета 3000 р
* Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
* Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной
