Skip to main content

FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223

Артикул:
127578
Наименование:
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
Производитель:
15.80 ₽

950 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

950 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223

FQT7N10LTF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 150 мОм (при Vgs =10 В, Id = 4 А).

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150
Емкость, пФ 650
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.21
Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*25/2000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-223
Упаковка REEL, 2500 шт.

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной