Skip to main content

IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

Артикул:
122154
Наименование:
IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8
Производитель:
56.14 ₽

1880 в наличии

Авторизуйтесь чтобы сохранить в избранное

1880 в наличии


Доставка:

— Самовывоз (г. о. город Екатеринбург, п. Палкинский Торфяник, ул. Торфяная, д. 37)

— СДЭК (По России), стоимость — по согласованию

IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

Технические характеристики

Параметр Значение
Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 13,4
Емкость, пФ 960
Заряд затвора, нКл 11
Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 2.55В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.12
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOIC-8
Упаковка REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1

Доставка и оплата

Приобрести интересующие Вас электронные компоненты вы можете:

1) В нашем офисе, за безналичный расчет, предварительно связавшись с
менеджерами
2) По почте либо транспортной компанией

Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку
и отправить её нам электронной почте
  * Минимальная сумма счета 3000 р
  * Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем
резерв товара на складе и неизменные цены
  * Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на
расчетный счет ООО «ДАКСОН«:
— на всю продукцию от 1 до 14 дней (указывается в счете)
— на продукцию, находящуюся на стадии производства, договорной